MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB

MOSFET de potencia / Canal N / 50 A / 60 V / TO-220AB / Proceso MegaFET

SKU: 50-N-06 B2B
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Descripción técnica

Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI para ofrecer una utilización óptima del silicio y un rendimiento excepcional. Estos transistores están diseñados para su uso en reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Su capacidad de operación directa desde circuitos integrados simplifica el diseño de circuitos y reduce la complejidad del sistema.

Características principales
  • Tecnología MegaFET para rendimiento superior
  • Optimización del silicio con proceso similar a LSI
  • Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación
  • Compatible con controladores de motores y relés
  • Operación directa desde circuitos integrados
  • Encapsulado TO-220AB estándar de la industria
Especificaciones técnicas Tipo de canal N Corriente de drenaje 50 A Voltaje drenaje-fuente 60 V Encapsulado TO-220AB Tecnología de fabricación MegaFET / Proceso LSI Aplicaciones típicas
  • Reguladores de conmutación (SMPS)
  • Convertidores DC-DC
  • Controladores de motores
  • Controladores de relés
  • Circuitos de conmutación de potencia

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Especificaciones técnicas

  • Tecnología MegaFET para rendimiento superior
  • Optimización del silicio con proceso LSI
  • Compatible con controladores de motores y relés
  • Operación directa desde circuitos integrados
  • Ideal para reguladores y convertidores de conmutación
  • Encapsulado TO-220AB estándar de la industria

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Resistencia SMD / 1 Ohm / 1/4W / Encapsulado 1206 / Tolerancia 5% / -55°C a +155°C

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